Photo diode, OSI Optoelectronics, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-18
Documents techniques
Spécifications
Brand
OSI OptoelectronicsSpectres détectés
Infrared
Pic de sensibilité de longueur d'onde
900nm
Type de conditionnement
TO-18
Type de fixation
Through Hole
Fonction d'amplificateur
No
Nombre de broches
2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
1100nm
Hauteur
0.2in
Diamètre
5.33mm
Photosensibilité de pointe
0.54A/W
Série
OSD
Polarité
Reverse
Temps de croissance
10ns
Pays d'origine
United States
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€ 185,87
€ 18,587 Each (In a Tray of 10) (hors TVA)
10
€ 185,87
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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| Quantité | Prix unitaire | Par Plateau |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 18,587 | € 185,87 |
| 20+ | € 17,899 | € 178,99 |
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No
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2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
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Hauteur
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Diamètre
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