Photo diode, OSI Optoelectronics, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-5
Documents techniques
Spécifications
Brand
OSI OptoelectronicsSpectres détectés
Infrared
Pic de sensibilité de longueur d'onde
970nm
Type de conditionnement
TO-5
Type de montage
Through Hole
Fonction d'amplificateur
No
Nombre de broches
3
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
1100nm
Longueur
8.255mm
Hauteur
4.572mm
Temps de croissance
60ns
Série
DP
Résistance du shunt
4000000KΩ
Pays d'origine
United States
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€ 255,46
€ 25,546 Each (In a Tray of 10) (hors TVA)
10
€ 255,46
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| Quantité | Prix unitaire | Par Plateau |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 25,546 | € 255,46 |
| 20+ | € 24,60 | € 246,00 |
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No
Nombre de broches
3
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
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Longueur
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Hauteur
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