Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de fixation
CMS
Type de conditionnement
TO-236
Courant direct continu maximum
100mA
Tension inverse de crête répétitive
30V
Configuration de diode
Cathode commune
Type de redressement
Schottky Diode
Type diode
Schottky
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
5ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
750mA
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
€ 5,75
€ 0,115 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 5,75
€ 0,115 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
50 - 90 | € 0,115 | € 1,15 |
100 - 240 | € 0,098 | € 0,98 |
250 - 490 | € 0,092 | € 0,92 |
500+ | € 0,086 | € 0,86 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de fixation
CMS
Type de conditionnement
TO-236
Courant direct continu maximum
100mA
Tension inverse de crête répétitive
30V
Configuration de diode
Cathode commune
Type de redressement
Schottky Diode
Type diode
Schottky
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
5ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
750mA
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.