MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 32 A 650 V, 3 broches

N° de stock RS: 876-5727Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STW40N65M2
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

32 A

Tension Drain Source maximum

650 V

Séries

MDmesh M2

Type de boîtier

TO-247

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

99 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

250 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Largeur

5.15mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

15.75mm

Charge de Grille type @ Vgs

56,5 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

20.15mm

Tension directe de la diode

1.6V

Pays d'origine

China

Détails du produit

Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics

Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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QuantitéPrix unitaire
1 - 4€ 6,06
5 - 9€ 5,76
10 - 24€ 5,18
25 - 49€ 4,66
50+€ 4,42

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Type de boîtier

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Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

99 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

250 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Largeur

5.15mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

15.75mm

Charge de Grille type @ Vgs

56,5 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

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Taille

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