Paire Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, PDIP, Traversant, 16 broches

N° de stock RS: 686-8209Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: ULN2003A
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Documents techniques

Spécifications

Type de transistor

NPN

Courant continu de Collecteur maximum

0.5 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

-50 V

Type d'emballage

PDIP W

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

16

Configuration du transistor

Emetteur commun

Nombre d'éléments par circuit

7

Gain en courant DC minimum

1000

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.6 V

Température de fonctionnement minimum

-20 °C

Température d'utilisation maximum

85 °C

Longueur

20mm

Hauteur

5.1mm

Largeur

7.1mm

Dimensions

20 x 7.1 x 5.1mm

Pays d'origine

China

Détails du produit

Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics

Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.

Darlington Transistor Drivers

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Prix ​​sur demande

Each (In a Pack of 20) (hors TVA)

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Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

16

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Emetteur commun

Nombre d'éléments par circuit

7

Gain en courant DC minimum

1000

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.6 V

Température de fonctionnement minimum

-20 °C

Température d'utilisation maximum

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Longueur

20mm

Hauteur

5.1mm

Largeur

7.1mm

Dimensions

20 x 7.1 x 5.1mm

Pays d'origine

China

Détails du produit

Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics

Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.

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