Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de montage
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Courant direct continu maximum
200mA
Tension inverse de crête répétitive
40V
Configuration de diode
Série
Type de redressement
Schottky Diode
Type diode
Schottky
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
1V
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Barrière Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
5ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
600mA
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
€ 23,99
€ 0,096 Each (In a Pack of 250) (hors TVA)
Standard
250
€ 23,99
€ 0,096 Each (In a Pack of 250) (hors TVA)
Standard
250
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
250 - 500 | € 0,096 | € 23,99 |
750 - 1250 | € 0,069 | € 17,34 |
1500 - 2750 | € 0,068 | € 17,05 |
3000+ | € 0,066 | € 16,47 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de montage
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Courant direct continu maximum
200mA
Tension inverse de crête répétitive
40V
Configuration de diode
Série
Type de redressement
Schottky Diode
Type diode
Schottky
Nombre de broche
3
Chute minimale de tension directe
1V
Nombre d'éléments par circuit
2
Technologie de diode
Barrière Schottky
Temps de recouvrement inverse crête
5ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
600mA
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, Taiwan Semiconductor
Faible perte de puissance
Faible chute de tension directe
Capacité de courant élevé