JFET, 2SK208-R(TE85L,F), Canal-N, 10 V Simple SOT-346 (SC-59), 3 broches Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
0.3 to 0.75mA
Tension Drain Source maximum
10 V
Tension Grille Source maximum
-30 V
Tension Drain Grille maximum
-50V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Type de fixation
CMS
Type d'emballage
SMini
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Hauteur
1.1mm
Largeur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Longueur
2.9mm
Détails du produit
JFET canal N Toshiba
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 20,30
€ 0,203 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 190 | € 0,203 | € 2,03 |
| 200 - 390 | € 0,184 | € 1,84 |
| 400+ | € 0,18 | € 1,80 |
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N
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10 V
Tension Grille Source maximum
-30 V
Tension Drain Grille maximum
-50V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Type de fixation
CMS
Type d'emballage
SMini
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Hauteur
1.1mm
Largeur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Longueur
2.9mm
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