Thyristor, VS-50RIA100, 50A, 100mA, 1000V, TO-65, 2 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayCourant moyen à l'état passant
50A
Type de Thyristor
Thyristor
Type de conditionnement
TO-65
Tension inverse de crête Répétitive
1000V
Courant de surcharge
1490A
Type de montage
Thread Mount
Courant de déclenchement de Grille maximum
100mA
Tension de déclenchement de Grille maximum
2.5V
Courant de maintien maximum
200mA
Nombre de broche
2
Dimensions
19.2 x 17.35 x 42.5mm
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Courant de crête répétitif à l'état bloqué
15mA
Tension de crête à l'état passant
1.6V
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension directe de crête répétitive à l'état bloqué
1000V
Détails du produit
Thyristors à contrôle de phase, Vishay Semiconductor
Thyristors - Vishay Semiconductor
A Thyristor is a solid-state semiconductor device with four layers of alternating N and P-type material. They act as bistable switches, conducting when their gate receives a current trigger, and continue to conduct while they are forward biased. Thyristors are synonymous to Silicon-Controlled Rectifier (SCR).
Encapsulated modules with electrically isolated base plate. Suitable for applications such as battery chargers, welders and plating equipment, regulated power supplies and temperature and speed control circuits.
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Prix sur demande
1
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100mA
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2.5V
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Dimensions
19.2 x 17.35 x 42.5mm
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Courant de crête répétitif à l'état bloqué
15mA
Tension de crête à l'état passant
1.6V
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-40 °C
Tension directe de crête répétitive à l'état bloqué
1000V
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Thyristors à contrôle de phase, Vishay Semiconductor
Thyristors - Vishay Semiconductor
A Thyristor is a solid-state semiconductor device with four layers of alternating N and P-type material. They act as bistable switches, conducting when their gate receives a current trigger, and continue to conduct while they are forward biased. Thyristors are synonymous to Silicon-Controlled Rectifier (SCR).
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