Documents techniques
Spécifications
Brand
ams OSRAMSpectres détectés
Infrarouge, UltraViolet, Lumière visible
Spectrum(s) Detected
Infrared, Ultraviolet, Visible Light
Pic de sensibilité de longueur d'onde
850nm
Type d'emballage
TO-18
Fonction d'amplificateur
No
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
1100nm
Longueur
5.6mm
Largeur
5.6mm
Taille
5.5mm
Photosensibilité de pointe
0.55A/W
Polarité
Avant
Pays d'origine
China
Détails du produit
Boîtier TO-18 pour photodiode PIN
La photodiode PIN BPX 65 d'OSRAM Opto Semiconductors est proposée en boîtiers métalliques TO-18. Le boîtier métallique est scellé hermétiquement, ce qui rend la série BPX 65 idéale pour les applications dans des environnements difficiles jusqu'à 125 °C. D'autres applications adaptées incluent l'électronique industrielle, les détecteurs photo haute vitesse et les circuits de commande/d'attaque.
Caractéristiques de la photodiode PIN en silicium BPX 65 :
Boîtier métallique TO-18
Montage traversant
Longueur d'onde : 350 à 1 100 nm
Court temps de commutation.
IR Photodiodes, OSRAM Opto Semiconductors
€ 6,57
€ 6,57 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 6,57
€ 6,57 Each (hors TVA)
Standard
1
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Quantité | Prix unitaire |
---|---|
1 - 5 | € 6,57 |
6 - 29 | € 6,22 |
30 - 59 | € 4,72 |
60+ | € 4,46 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ams OSRAMSpectres détectés
Infrarouge, UltraViolet, Lumière visible
Spectrum(s) Detected
Infrared, Ultraviolet, Visible Light
Pic de sensibilité de longueur d'onde
850nm
Type d'emballage
TO-18
Fonction d'amplificateur
No
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
1100nm
Longueur
5.6mm
Largeur
5.6mm
Taille
5.5mm
Photosensibilité de pointe
0.55A/W
Polarité
Avant
Pays d'origine
China
Détails du produit
Boîtier TO-18 pour photodiode PIN
La photodiode PIN BPX 65 d'OSRAM Opto Semiconductors est proposée en boîtiers métalliques TO-18. Le boîtier métallique est scellé hermétiquement, ce qui rend la série BPX 65 idéale pour les applications dans des environnements difficiles jusqu'à 125 °C. D'autres applications adaptées incluent l'électronique industrielle, les détecteurs photo haute vitesse et les circuits de commande/d'attaque.
Caractéristiques de la photodiode PIN en silicium BPX 65 :
Boîtier métallique TO-18
Montage traversant
Longueur d'onde : 350 à 1 100 nm
Court temps de commutation.