Documents techniques
Spécifications
Taille mémoire
256kbit
Configuration
32K x 8 bits
Type d'interface
SPI
Largeur de bus de données
8bit
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
SOIC W
Nombre de broche
8
Dimensions
4.978 x 3.987 x 1.478mm
Longueur
4.98mm
Largeur
3.987mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
5.5 V
Taille
1.478mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Nombre de mots
32K
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Nombre de bits par mot
8bit
Pays d'origine
Thailand
Détails du produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
2
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Taille mémoire
256kbit
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32K x 8 bits
Type d'interface
SPI
Largeur de bus de données
8bit
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
SOIC W
Nombre de broche
8
Dimensions
4.978 x 3.987 x 1.478mm
Longueur
4.98mm
Largeur
3.987mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
5.5 V
Taille
1.478mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Nombre de mots
32K
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Nombre de bits par mot
8bit
Pays d'origine
Thailand
Détails du produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.