Diode CMS DiodesZetex, 1A, 40V, SOD123F

N° de stock RS: 133-3369Marque: DiodesZetexN° de pièce Mfr: 1N5819HW1-7-F
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Documents techniques

Spécifications

Type de montage

CMS

Type de conditionnement

SOD123F

Courant direct continu maximum

1A

Tension inverse de crête répétitive

40V

Configuration de diode

Single

Type de redressement

Redresseur Schottky

Type diode

Schottky

Nombre de broches

2

Chute minimale de tension directe

750mV

Nombre d'éléments par circuit

1

Technologie de diode

Barrière Schottky

Temps de recouvrement inverse crête

15ns

courant direct de surcharge non-répétitif de crête

30A

Pays d'origine

China

Détails du produit


Redresseurs barrière Schottky 1N5817-1N5819 de Diodes Inc.


Avantages :

• Structure de matrice à bague de protection contre les effets transitoires
• Faible perte de puissance et haut rendement
• Haute capacité de surtension
• Haute capacité de surtension et faible chute de tension directe
• Finition sans plomb, conforme à la directive RoHS


Caractéristiques :

• Boîtier : DO-41
• Matériau du boîtier : plastique moulé. Classe d'inflammabilité UL 94 V - 0 L
• Polarité : bande cathode
• Marquage : numéro de type et code de date
• Sensibilité à l'humidité : niveau 1 selon la norme J-STD-020C


Applications types

Les diodes Schottky sont utilisées pour les applications de blocage de tension.

• Variateurs de fréquence élevée basse tension
• Roue libre
• Applications de protection des polarités

Diodes and Rectifiers, Diodes Inc

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Vous pouvez être intéressé par
Diode CMS DiodesZetex, 1A, 40V, SOD-123
€ 0,18Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
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€ 10,69

€ 0,214 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)

Diode CMS DiodesZetex, 1A, 40V, SOD123F
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QuantitéPrix unitairePar Paquet
50 - 200€ 0,214€ 10,70
250 - 950€ 0,098€ 4,91
1000 - 1950€ 0,079€ 3,97
2000 - 2950€ 0,076€ 3,80
3000+€ 0,072€ 3,62

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Type de conditionnement

SOD123F

Courant direct continu maximum

1A

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40V

Configuration de diode

Single

Type de redressement

Redresseur Schottky

Type diode

Schottky

Nombre de broches

2

Chute minimale de tension directe

750mV

Nombre d'éléments par circuit

1

Technologie de diode

Barrière Schottky

Temps de recouvrement inverse crête

15ns

courant direct de surcharge non-répétitif de crête

30A

Pays d'origine

China

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Avantages :

• Structure de matrice à bague de protection contre les effets transitoires
• Faible perte de puissance et haut rendement
• Haute capacité de surtension
• Haute capacité de surtension et faible chute de tension directe
• Finition sans plomb, conforme à la directive RoHS


Caractéristiques :

• Boîtier : DO-41
• Matériau du boîtier : plastique moulé. Classe d'inflammabilité UL 94 V - 0 L
• Polarité : bande cathode
• Marquage : numéro de type et code de date
• Sensibilité à l'humidité : niveau 1 selon la norme J-STD-020C


Applications types

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