Diode traversante Fairchild Semiconductor, 1A, 1000V, DO-41
Documents techniques
Spécifications
Type de montage
Through Hole
Type de conditionnement
DO-41SS
Courant direct continu maximum
1A
Tension inverse de crête répétitive
1000V
Configuration de diode
Single
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broches
2
Technologie de diode
Jonction au silicium
Diamètre
2.72mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
30A
Pays d'origine
Malaysia
Prix sur demande
Each (On a Reel of 5000) (hors TVA)
5000
Prix sur demande
Each (On a Reel of 5000) (hors TVA)
5000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Documents techniques
Spécifications
Type de montage
Through Hole
Type de conditionnement
DO-41SS
Courant direct continu maximum
1A
Tension inverse de crête répétitive
1000V
Configuration de diode
Single
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broches
2
Technologie de diode
Jonction au silicium
Diamètre
2.72mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
30A
Pays d'origine
Malaysia