Module IGBT, 7MBP50VDA-060-50, , 50 A, 600 V, P 630, 25 broches, Triphasé
Documents techniques
Spécifications
Brand
Fuji ElectricCourant continu de Collecteur maximum
50 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Dissipation de puissance maximum
201 W
Type de conditionnement
P 630
Format
Triphasé
Type de montage
PCB Mount
Type de canal
N
Nombre de broche
25
Vitesse de découpage
20kHz
Configuration du transistor
3 Phase
Dimensions
128.5 x 84 x 14mm
Température de fonctionnement minimum
-20 °C
Température d'utilisation maximum
+110 °C
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
IPM IGBT (module d'alimentation intelligent), série V, Fuji Electric
Les modules d'alimentation intelligents (IPM) série V, de Fuji Electric, sont équipés de circuits IGBT d'entraînement, de contrôle et de protection. Ils sont faciles à implémenter dans des applications de contrôle de puissance pour les servos c.a., l'équipement de climatisation et les ascenseurs. Les fonctions de protection intégrées permettent d'optimiser et d'augmenter la durée de vie des modules IPM IGBT, ce qui assure la fiabilité élevée du système. Les modules IPM sont équipés de protection contre les surintensités, le court-circuit, la chute de tension de puissance de contrôle et la surchauffe, tout en pouvant émettre des signaux d'alarme.
6 MBP... Sans chopper de freinage
7 MBP... Avec chopper de freinage
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Prix sur demande
Each (In a Box of 20) (hors TVA)
20
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Fuji ElectricCourant continu de Collecteur maximum
50 A
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600 V
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Type de conditionnement
P 630
Format
Triphasé
Type de montage
PCB Mount
Type de canal
N
Nombre de broche
25
Vitesse de découpage
20kHz
Configuration du transistor
3 Phase
Dimensions
128.5 x 84 x 14mm
Température de fonctionnement minimum
-20 °C
Température d'utilisation maximum
+110 °C
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
IPM IGBT (module d'alimentation intelligent), série V, Fuji Electric
Les modules d'alimentation intelligents (IPM) série V, de Fuji Electric, sont équipés de circuits IGBT d'entraînement, de contrôle et de protection. Ils sont faciles à implémenter dans des applications de contrôle de puissance pour les servos c.a., l'équipement de climatisation et les ascenseurs. Les fonctions de protection intégrées permettent d'optimiser et d'augmenter la durée de vie des modules IPM IGBT, ce qui assure la fiabilité élevée du système. Les modules IPM sont équipés de protection contre les surintensités, le court-circuit, la chute de tension de puissance de contrôle et la surchauffe, tout en pouvant émettre des signaux d'alarme.
6 MBP... Sans chopper de freinage
7 MBP... Avec chopper de freinage
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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