Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonCourant continu de Collecteur maximum
90 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
520000 mW
Type d'emballage
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
>20kHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.87 x 5.31 x 20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
Mexico
Détails du produit
IGBT simple, plus de 21 A, Infineon
Transistors IGBT optimisés conçus pour les applications de fréquence moyenne avec réponse rapide et pour fournir à l'utilisateur le plus haut rendement disponible. Utilisation de diodes FRED optimisées pour fournir les meilleures performances avec les IGBT.
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
520000 mW
Type d'emballage
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
>20kHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.87 x 5.31 x 20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
Mexico
Détails du produit
IGBT simple, plus de 21 A, Infineon
Transistors IGBT optimisés conçus pour les applications de fréquence moyenne avec réponse rapide et pour fournir à l'utilisateur le plus haut rendement disponible. Utilisation de diodes FRED optimisées pour fournir les meilleures performances avec les IGBT.
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.