IGBT, IXXH80N65B4H1, , 430 A, 650 V, TO-247AD, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSCourant continu de Collecteur maximum
430 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
650 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
625 W
Nombre de transistors
1
Type de conditionnement
TO-247AD
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
5 → 30kHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
16.1 x 5.2 x 21.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Indice énergétique
5.2mJ
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
IGBT Discrétes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 322,14
€ 10,738 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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1
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TO-247AD
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
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3
Vitesse de découpage
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Configuration du transistor
Single
Dimensions
16.1 x 5.2 x 21.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Pays d'origine
Philippines
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IGBT Discrétes, IXYS
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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