IGBT, IXYN100N120C3, , 152 A, 1200 V, SOT-227B, 4 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSCourant continu de Collecteur maximum
152 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
830 W
Type de conditionnement
SOT-227B
Type de montage
CMS
Type de canal
N
Nombre de broche
4
Vitesse de découpage
20 → 50kHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
38.2 x 25 x 9.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Pays d'origine
United States
Détails du produit
IGBT Discretes, IXYS série XPT
La gamme XPT™ d'IGBT discrets d'IXYS intègre la technologie de galette fine Extreme-light Punch-Through, qui permet de réduire la résistance thermique et les pertes énergétiques. Ces circuits offrent un temps de commutation court avec un faible courant de queue, et sont disponibles dans une large variété de boîtiers standards et propriétaires.
Forte densité de puissance et faible Vce(sat)
RBSOA (Square Reverse Bias Safe Operating Areas, ou aires de sécurité inverse) jusqu'à la tension d'isolement nominale
Capacité de court-circuit pendant 10 μs
Coefficient de température positive en tension à l'état passant
Diodes Sonic-FRD™ ou HiPerFRED™ dans le même boîtier proposé en option
Boîtiers haute tension aux normes internationales et propriétaires
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 329,24
€ 32,924 Each (In a Tube of 10) (hors TVA)
10
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CMS
Type de canal
N
Nombre de broche
4
Vitesse de découpage
20 → 50kHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
38.2 x 25 x 9.6mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Pays d'origine
United States
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IGBT Discretes, IXYS série XPT
La gamme XPT™ d'IGBT discrets d'IXYS intègre la technologie de galette fine Extreme-light Punch-Through, qui permet de réduire la résistance thermique et les pertes énergétiques. Ces circuits offrent un temps de commutation court avec un faible courant de queue, et sont disponibles dans une large variété de boîtiers standards et propriétaires.
Forte densité de puissance et faible Vce(sat)
RBSOA (Square Reverse Bias Safe Operating Areas, ou aires de sécurité inverse) jusqu'à la tension d'isolement nominale
Capacité de court-circuit pendant 10 μs
Coefficient de température positive en tension à l'état passant
Diodes Sonic-FRD™ ou HiPerFRED™ dans le même boîtier proposé en option
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IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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