Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de direction
Uni-Directional
Configuration de diode
Cathode commune
Tension de pincement maximum
38V
Tension de claquage
25.65V
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Tension inverse maximum à l'état bloqué
22V
Nombre de broche
3
Dissipation de puissance crête d'impulsion
40W
Courant d'impulsion crête maximum
1A
Protection ESD
Yes
Nombre d'éléments par circuit
2
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Courant de fuite inverse maximum
50nA
Hauteur
0.94mm
Courant de test
1mA
Longueur
2.9mm
Largeur
1.3mm
Prix sur demande
Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
Prix sur demande
Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de direction
Uni-Directional
Configuration de diode
Cathode commune
Tension de pincement maximum
38V
Tension de claquage
25.65V
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Tension inverse maximum à l'état bloqué
22V
Nombre de broche
3
Dissipation de puissance crête d'impulsion
40W
Courant d'impulsion crête maximum
1A
Protection ESD
Yes
Nombre d'éléments par circuit
2
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Courant de fuite inverse maximum
50nA
Hauteur
0.94mm
Courant de test
1mA
Longueur
2.9mm
Largeur
1.3mm