Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN/PNP
Courant continu de Collecteur maximum
100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
45 V
Type d'emballage
SOT-363
Type de fixation
CMS
Dissipation de puissance maximum
380 mW
Gain en courant DC minimum
200
Configuration du transistor
Isolated
Tension Collecteur Base maximum
50 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
100 MHz
Nombre de broche
6
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
0.9 x 2 x 1.25mm
Détails du produit
Transistors doubles NPN/PNP, ON Semiconductor
Les boîtiers doubles transistors contiennent chacun un dispositif NPN et PNP
€ 0,53
€ 0,021 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
€ 0,53
€ 0,021 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
25 - 100 | € 0,021 | € 0,53 |
125+ | € 0,02 | € 0,49 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN/PNP
Courant continu de Collecteur maximum
100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
45 V
Type d'emballage
SOT-363
Type de fixation
CMS
Dissipation de puissance maximum
380 mW
Gain en courant DC minimum
200
Configuration du transistor
Isolated
Tension Collecteur Base maximum
50 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
100 MHz
Nombre de broche
6
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
0.9 x 2 x 1.25mm
Détails du produit
Transistors doubles NPN/PNP, ON Semiconductor
Les boîtiers doubles transistors contiennent chacun un dispositif NPN et PNP