Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
1.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
80 V
Type de boîtier
TO-126
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
12.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
8 x 3.25 x 11mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors petits signaux NPN, 60 à 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
1.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
80 V
Type de boîtier
TO-126
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
12.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
8 x 3.25 x 11mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors petits signaux NPN, 60 à 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.