Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
10 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-400 V
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
75000 mW
Gain en courant DC minimum
22
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
700 V dc
Tension Emetteur Base maximum
12 V dc
Fréquence de fonctionnement maximum
1 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
China
€ 82,60
€ 1,652 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 82,60
€ 1,652 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,652 | € 82,60 |
100 - 200 | € 1,237 | € 61,86 |
250 - 450 | € 1,225 | € 61,27 |
500 - 950 | € 1,049 | € 52,47 |
1000+ | € 1,047 | € 52,35 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
10 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-400 V
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
75000 mW
Gain en courant DC minimum
22
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
700 V dc
Tension Emetteur Base maximum
12 V dc
Fréquence de fonctionnement maximum
1 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
China