Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
20 to 40mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Tension Drain Grille maximum
-25V
Format
Dual
Configuration du transistor
Source commune
Type de montage
CMS
Type de boîtier
CPH
Nombre de broche
6
Capacitance Drain Grille
6pF
Capacitance Source Grille ON
2.3pF
Dimensions
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Taille
0.9mm
Largeur
1.6mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 5,07
€ 0,507 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 5,07
€ 0,507 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,507 | € 5,08 |
100 - 240 | € 0,437 | € 4,37 |
250 - 490 | € 0,379 | € 3,79 |
500 - 990 | € 0,334 | € 3,34 |
1000+ | € 0,303 | € 3,03 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
20 to 40mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Tension Drain Grille maximum
-25V
Format
Dual
Configuration du transistor
Source commune
Type de montage
CMS
Type de boîtier
CPH
Nombre de broche
6
Capacitance Drain Grille
6pF
Capacitance Source Grille ON
2.3pF
Dimensions
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Taille
0.9mm
Largeur
1.6mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.