Module IGBT, NXH100B120H3Q0STG, , 1200 V, Q0BOOST, 22 broches, Double

N° de stock RS: 195-8770Marque: onsemiN° de pièce Mfr: NXH100B120H3Q0STG
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Documents techniques

Spécifications

Brand

onsemi

Tension Collecteur Emetteur maximum

1200 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

186 W

Type de boîtier

Q0BOOST

Format

Dual

Type de montage

CMS

Type de canal

N

Nombre de broche

22

Configuration du transistor

Dual

Dimensions

66.2 x 32.8 x 11.9mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Température de fonctionnement minimum

-40 °C

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€ 1 184,47

€ 49,353 Each (In a Tray of 24) (hors TVA)

Module IGBT, NXH100B120H3Q0STG, , 1200 V, Q0BOOST, 22 broches, Double

24

Disponible en multiples de 24
24€ 1 184,47
48€ 2 368,95
72€ 3 553,42
96€ 4 737,90
120€ 5 922,37
144€ 7 106,85
168€ 8 291,32
192€ 9 475,80
216€ 10 660,27
240€ 11 844,75
264€ 13 029,22
288€ 14 213,70
312€ 15 398,17
336€ 16 582,64
360€ 17 767,12

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240€ 11 844,75
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Type de boîtier

Q0BOOST

Format

Dual

Type de montage

CMS

Type de canal

N

Nombre de broche

22

Configuration du transistor

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