Photo diode, OSI Optoelectronics, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-8
Documents techniques
Spécifications
Brand
OSI OptoelectronicsSpectres détectés
Infrared
Pic de sensibilité de longueur d'onde
970nm
Type de conditionnement
TO-8
Type de fixation
Through Hole
Fonction d'amplificateur
No
Nombre de broches
2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
1100nm
Hauteur
0.205in
Diamètre
13.97mm
Photosensibilité de pointe
0.65A/W
Série
PIN
Polarité
Reverse
Temps de croissance
17ns
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€ 366,58
€ 36,658 Each (In a Tray of 10) (hors TVA)
10
€ 366,58
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Plateau |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 36,658 | € 366,58 |
| 20+ | € 35,302 | € 353,02 |
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No
Nombre de broches
2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
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