Module IGBT, SKM200GB12E4 , , 314 A, 1200 V, SEMITRANS3, 7 broches, Série
Documents techniques
Spécifications
Brand
Semikron DanfossCourant continu de Collecteur maximum
314 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Format
Dual Half Bridge
Type d'emballage
SEMITRANS3
Type de fixation
Panel Mount
Type de canal
N
Nombre de broche
7
Configuration du transistor
Series
Dimensions
106.4 x 61.4 x 30mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Largeur
61.4mm
Détails du produit
Modules IGBT doubles
Une gamme de modules IGBT SEMITOP® de Semikron intégrant deux dispositifs IGBT (demi-pont) connectés en série. Les modules sont disponibles dans une large gamme de tensions et intensités nominales et sont adaptés à une variété d'applications de commutation d'alimentation telles que les entraînements de moteur inverseur c.a. et les alimentations sans interruption.
Boîtier SEMITOP® compact
Adapté pour des fréquences de commutation jusqu'à 12 kHz
Base en cuivre isolé utilisant la technologie de cuivre à liaison directe
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 240,56
€ 240,56 Each (hors TVA)
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 240,56 |
| 2 - 4 | € 228,54 |
| 5 - 9 | € 199,67 |
| 10 - 19 | € 178,50 |
| 20+ | € 169,60 |
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314 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
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±20V
Format
Dual Half Bridge
Type d'emballage
SEMITRANS3
Type de fixation
Panel Mount
Type de canal
N
Nombre de broche
7
Configuration du transistor
Series
Dimensions
106.4 x 61.4 x 30mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Largeur
61.4mm
Détails du produit
Modules IGBT doubles
Une gamme de modules IGBT SEMITOP® de Semikron intégrant deux dispositifs IGBT (demi-pont) connectés en série. Les modules sont disponibles dans une large gamme de tensions et intensités nominales et sont adaptés à une variété d'applications de commutation d'alimentation telles que les entraînements de moteur inverseur c.a. et les alimentations sans interruption.
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Adapté pour des fréquences de commutation jusqu'à 12 kHz
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IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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