Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
-0.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
450 V
Type de conditionnement
SOT-32
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
40 W
Gain en courant DC minimum
12
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
1000 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Détails du produit
Transistors haute tension, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
-0.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
450 V
Type de conditionnement
SOT-32
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
40 W
Gain en courant DC minimum
12
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
1000 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Détails du produit
Transistors haute tension, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.