Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Séries
MDmesh
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
400 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
35 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
43,6 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Taille
9.3mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 800 V / 1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 136,75
€ 2,735 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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N
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Séries
MDmesh
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
400 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
35 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
43,6 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Taille
9.3mm
Détails du produit