Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de montage
Through Hole
Type de boîtier
TO-220AC
Courant direct continu maximum
22A
Tension inverse de crête répétitive
650V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Schottky Diode
Type diode
SiC Schottky
Nombre de broche
2
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
SiC Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
400A
Détails du produit
Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium, STMicroelectronics
Une diode en carbure de silicium (SiC) est un redresseur de puissance Schottky à très hautes performances.
Récupération inverse nulle ou négligeable
Comportement de commutation indépendant de la température
Dédié aux applications PFC
Capacité de surtension élevée
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
€ 2,66
€ 2,66 Each (hors TVA)
Standard
1
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STMicroelectronicsType de montage
Through Hole
Type de boîtier
TO-220AC
Courant direct continu maximum
22A
Tension inverse de crête répétitive
650V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Schottky Diode
Type diode
SiC Schottky
Nombre de broche
2
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
SiC Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
400A
Détails du produit
Diode Schottky (SiC) en carbure de silicium, STMicroelectronics
Une diode en carbure de silicium (SiC) est un redresseur de puissance Schottky à très hautes performances.
Récupération inverse nulle ou négligeable
Comportement de commutation indépendant de la température
Dédié aux applications PFC
Capacité de surtension élevée