Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
8 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
100 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Type de conditionnement
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Nombre d'éléments par circuit
1
Gain en courant DC minimum
1000
Tension Collecteur Base maximum
100 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
4 V
Courant de coupure Collecteur maximum
0.2mA
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.4mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Hauteur
9.15mm
Largeur
4.6mm
Dimensions
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Détails du produit
Transistors Darlington Tip122
STMicroelectronics présente sa gamme TIP122 de paires Darlington. Les paires ou transistors Darlington sont un boîtier de deux transistors BJT standard qui sont utilisés pour amplifier les signaux faibles d'un circuit à un autre circuit ou microprocesseur.
Les dispositifs TIP122 sont fabriqués en technologie planaire avec une disposition "base-ile" et une configuration Darlington monolithique. Les transistors qui en résultent présentent des performances de gain élevé exceptionnelles, couplées à une très faible tension de saturation.
Caractéristiques et avantages
- Faible tension de saturation de l'émetteur-collecteur
- Transistors NPN-PNP complémentaires
Applications
- Linéaire à usage général et commutation
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
€ 20,64
€ 0,413 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 20,64
€ 0,413 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,413 | € 20,64 |
100 - 200 | € 0,388 | € 19,40 |
250+ | € 0,372 | € 18,58 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
8 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
100 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Type de conditionnement
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Nombre d'éléments par circuit
1
Gain en courant DC minimum
1000
Tension Collecteur Base maximum
100 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
4 V
Courant de coupure Collecteur maximum
0.2mA
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
10.4mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Hauteur
9.15mm
Largeur
4.6mm
Dimensions
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Détails du produit
Transistors Darlington Tip122
STMicroelectronics présente sa gamme TIP122 de paires Darlington. Les paires ou transistors Darlington sont un boîtier de deux transistors BJT standard qui sont utilisés pour amplifier les signaux faibles d'un circuit à un autre circuit ou microprocesseur.
Les dispositifs TIP122 sont fabriqués en technologie planaire avec une disposition "base-ile" et une configuration Darlington monolithique. Les transistors qui en résultent présentent des performances de gain élevé exceptionnelles, couplées à une très faible tension de saturation.
Caractéristiques et avantages
- Faible tension de saturation de l'émetteur-collecteur
- Transistors NPN-PNP complémentaires
Applications
- Linéaire à usage général et commutation
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.