Transistor Darlington, NPN, 8 A, 100 V, A-220, Traversant, 3 broches

N° de stock RS: 103-1078Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: TIP122
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Documents techniques

Spécifications

Type de transistor

NPN

Courant continu de Collecteur maximum

8 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

100 V

Tension Emetteur Base maximum

5 V

Type de conditionnement

TO-220

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Configuration du transistor

Single

Nombre d'éléments par circuit

1

Gain en courant DC minimum

1000

Tension Collecteur Base maximum

100 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

4 V

Courant de coupure Collecteur maximum

0.2mA

Température d'utilisation maximum

150 °C

Longueur

10.4mm

Température de fonctionnement minimum

-65 °C

Hauteur

9.15mm

Largeur

4.6mm

Dimensions

10.4 x 4.6 x 9.15mm

Détails du produit

Transistors Darlington Tip122

STMicroelectronics présente sa gamme TIP122 de paires Darlington. Les paires ou transistors Darlington sont un boîtier de deux transistors BJT standard qui sont utilisés pour amplifier les signaux faibles d'un circuit à un autre circuit ou microprocesseur.

Les dispositifs TIP122 sont fabriqués en technologie planaire avec une disposition "base-ile" et une configuration Darlington monolithique. Les transistors qui en résultent présentent des performances de gain élevé exceptionnelles, couplées à une très faible tension de saturation.

Caractéristiques et avantages

  • Faible tension de saturation de l'émetteur-collecteur

  • Transistors NPN-PNP complémentaires

Applications

  • Linéaire à usage général et commutation

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

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€ 20,64

€ 0,413 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Tube
50 - 50€ 0,413€ 20,64
100 - 200€ 0,388€ 19,40
250+€ 0,372€ 18,58

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3

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Single

Nombre d'éléments par circuit

1

Gain en courant DC minimum

1000

Tension Collecteur Base maximum

100 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

4 V

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0.2mA

Température d'utilisation maximum

150 °C

Longueur

10.4mm

Température de fonctionnement minimum

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Hauteur

9.15mm

Largeur

4.6mm

Dimensions

10.4 x 4.6 x 9.15mm

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  • Faible tension de saturation de l'émetteur-collecteur

  • Transistors NPN-PNP complémentaires

Applications

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