MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 100 A 60 V, 8 broches

N° de stock RS: 827-4909PMarque: Texas InstrumentsN° de pièce Mfr: CSD18563Q5A
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Texas Instruments

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

100 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type d'emballage

VSONP

Séries

NexFET

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

10,8 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.4V

Tension de seuil minimale de la grille

1.7V

Dissipation de puissance maximum

3.2 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

15 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

5mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5.8mm

Taille

1.1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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€ 29,89

€ 1,196 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 100 A 60 V, 8 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

25

Disponible en multiples de 5
25€ 29,89
30€ 35,87
35€ 41,85
40€ 47,83
45€ 53,80
50€ 59,78
55€ 65,76
60€ 71,74
65€ 77,72
70€ 83,69
75€ 89,67
80€ 95,65
85€ 101,63
90€ 107,61
95€ 113,58

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
25 - 95€ 1,196€ 5,98
100 - 245€ 1,039€ 5,19
250 - 495€ 0,972€ 4,86
500+€ 0,922€ 4,61

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NexFET

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Résistance Drain Source maximum

10,8 mΩ

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Tension de seuil maximale de la grille

2.4V

Tension de seuil minimale de la grille

1.7V

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3.2 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

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Température d'utilisation maximum

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Largeur

5mm

Matériau du transistor

Si

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1

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