Transistor, PNP Simple, -15 A, -230 V, TO-3PL, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-15 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-230 V
Type de conditionnement
TO-3PL
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
150 W
Gain en courant DC minimum
55
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
-230 V
Tension Emetteur Base maximum
-5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
30 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
20.5 x 5.2 x 26mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistors de puissance PNP, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 182,27
€ 1,823 Each (In a Tube of 100) (hors TVA)
100
€ 182,27
€ 1,823 Each (In a Tube of 100) (hors TVA)
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-15 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-230 V
Type de conditionnement
TO-3PL
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
150 W
Gain en courant DC minimum
55
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
-230 V
Tension Emetteur Base maximum
-5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
30 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
20.5 x 5.2 x 26mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistors de puissance PNP, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.