IGBT, GT40QR21,F(O, , 40 A, 1200 V, TO-3P, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaCourant continu de Collecteur maximum
40 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±25V
Dissipation de puissance maximum
230 W
Type de conditionnement
TO-3P
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
2.5MHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.5 x 4.5 x 20mm
Capacité de grille
1500pF
Température d'utilisation maximum
175 °C
Indice énergétique
0.29mJ
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
IGBT Discretes Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 4,56
€ 4,56 Each (hors TVA)
1
€ 4,56
€ 4,56 Each (hors TVA)
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 4,56 |
| 5+ | € 4,25 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaCourant continu de Collecteur maximum
40 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±25V
Dissipation de puissance maximum
230 W
Type de conditionnement
TO-3P
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broches
3
Vitesse de découpage
2.5MHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.5 x 4.5 x 20mm
Capacité de grille
1500pF
Température d'utilisation maximum
175 °C
Indice énergétique
0.29mJ
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
IGBT Discretes Toshiba
IGBT Discretes & Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.