Commutateur High Side, Toshiba, TPD2005F(EL,F), SSOP, 24 broches High Side
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaTopologie d'alimentation
High Side
Type de commutateur de puissance
Commutateur High Side
Résistance RDSon de commutation
1.2Ω
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
40 V
Nombre de sorties
8
Puissance
1.2W
Type de fixation
CMS
Type de boîtier
SSOP
Nombre de broches
24
Température d'utilisation maximum
85 °C
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Dimensions
13.5 x 6 x 1.4mm
Détails du produit
Circuits de puissance intelligents (IPD), Toshiba
Le TPD1030F est un commutateur côté bas 2 en 1
Le TPD2005F est un réseau de commutateurs côté haut 8 canaux
Le TPD2007F est un réseau de commutateurs côté bas 8 canaux
Applications de commutation pour les moteurs, les solénoïdes et les drivers de lampe
Power and Load Switches, Toshiba
Integrated High-side and Low-side Intelligent Power Switching circuits incorporating many functional and protective features such as over-current, over-voltage, short-circuit, open-circuit load, over-temperature and supply reversal. These highly integrated devices utilise low on-resistance MOSFET transistors to minimise power losses and maintain high efficiency.
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€ 127,43
€ 5,10 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
€ 127,43
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
25
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 25 - 99 | € 5,10 |
| 100 - 249 | € 4,96 |
| 250 - 499 | € 4,85 |
| 500+ | € 4,73 |
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Tension d'alimentation fonctionnement maximum
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8
Puissance
1.2W
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CMS
Type de boîtier
SSOP
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Température d'utilisation maximum
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Température de fonctionnement minimum
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Dimensions
13.5 x 6 x 1.4mm
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Circuits de puissance intelligents (IPD), Toshiba
Le TPD1030F est un commutateur côté bas 2 en 1
Le TPD2005F est un réseau de commutateurs côté haut 8 canaux
Le TPD2007F est un réseau de commutateurs côté bas 8 canaux
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Power and Load Switches, Toshiba
Integrated High-side and Low-side Intelligent Power Switching circuits incorporating many functional and protective features such as over-current, over-voltage, short-circuit, open-circuit load, over-temperature and supply reversal. These highly integrated devices utilise low on-resistance MOSFET transistors to minimise power losses and maintain high efficiency.
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