MOSFET Vishay Siliconix canal P, SOT-23 3,6 A 40 V, 3 broches

N° de stock RS: 178-3853Marque: Vishay SiliconixN° de pièce Mfr: Si2319DDS-T1-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay Siliconix

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

3.6 A

Tension Drain Source maximum

40 V

Séries

TrenchFET

Type de conditionnement

SOT-23, TO-236

Type de montage

CMS

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

100 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

1,7 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.04mm

Charge de Grille type @ Vgs

12,5 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

1.02mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Pays d'origine

China

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€ 19,58

€ 0,392 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)

MOSFET Vishay Siliconix canal P, SOT-23 3,6 A 40 V, 3 broches
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Disponible en multiples de 50.

Production -

Disponible en multiples de 50.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

50

Disponible en multiples de 50
50€ 19,58
100€ 33,19
150€ 49,79
200€ 66,39
250€ 82,98
300€ 99,58
350€ 116,18
400€ 132,78
450€ 149,37
500€ 146,68
550€ 161,35
600€ 176,02
650€ 190,69
700€ 205,36
750€ 220,03

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
50 - 50€ 0,392€ 19,58
100 - 450€ 0,332€ 16,60
500 - 950€ 0,293€ 14,67
1000+€ 0,254€ 12,68

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Vishay Siliconix

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P

Courant continu de Drain maximum

3.6 A

Tension Drain Source maximum

40 V

Séries

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Type de conditionnement

SOT-23, TO-236

Type de montage

CMS

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

100 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

1,7 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.04mm

Charge de Grille type @ Vgs

12,5 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

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