MOSFET Vishay canal P, D2PAK (TO-263) 110 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
3.75 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
9.65mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
160 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1 616,36
€ 2,02 Each (On a Reel of 800) (hors TVA)
800
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Configuration du transistor
Single
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±20 V
Largeur
9.65mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
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Taille
4.83mm
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