IGBT, ISL9V3040P3, , 21 A, 450 V, TO-220AB, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Courant continu de Collecteur maximum
21 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
450 V
Tension Grille Emetteur maximum
±14V
Dissipation de puissance maximum
150 W
Type d'emballage
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.67 x 4.7 x 16.3mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Détails du produit
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 14,49
€ 2,898 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 2,898 | € 14,49 |
| 10 - 95 | € 2,334 | € 11,67 |
| 100 - 495 | € 1,916 | € 9,58 |
| 500 - 995 | € 1,614 | € 8,07 |
| 1000+ | € 1,422 | € 7,11 |
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Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.67 x 4.7 x 16.3mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Détails du produit
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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