Mémoire flash, 4Gbit, 512M x 8 bits, Série, TSOP, 48 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
HynixTaille mémoire
4Gbit
Type d'interface
Serial
Type de conditionnement
TSOP I
Nombre de broche
48
Configuration
512M x 8 bits
Type de fixation
CMS
Type de cellule
NAND
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Organisation des blocs
Symétrique
Longueur
18.5mm
Hauteur
1.03mm
Largeur
12.12mm
Dimensions
18.5 x 12.12 x 1.03mm
Nombre de mots
512M
Température de fonctionnement minimum
0° C
Nombre de bits par mot
8bit
Température d'utilisation maximum
70 °C
Temps d'accès aléatoire maximum
25000ns
Pays d'origine
Korea, Republic Of
Prix sur demande
1
Prix sur demande
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Documents techniques
Spécifications
Brand
HynixTaille mémoire
4Gbit
Type d'interface
Serial
Type de conditionnement
TSOP I
Nombre de broche
48
Configuration
512M x 8 bits
Type de fixation
CMS
Type de cellule
NAND
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Organisation des blocs
Symétrique
Longueur
18.5mm
Hauteur
1.03mm
Largeur
12.12mm
Dimensions
18.5 x 12.12 x 1.03mm
Nombre de mots
512M
Température de fonctionnement minimum
0° C
Nombre de bits par mot
8bit
Température d'utilisation maximum
70 °C
Temps d'accès aléatoire maximum
25000ns
Pays d'origine
Korea, Republic Of