Mémoire FRAM, FM24V02A-G, 256Kbit, 32K x 8 bits, Série-I2C, SOIC, 8 broches, 3,6 V
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonTaille mémoire
256kbit
Configuration
32K x 8 bits
Type d'interface
Série-I2C
Largeur de bus de données
8bit
Temps d'accès aléatoire maximum
450ns
Type de montage
CMS
Type d'emballage
SOIC W
Nombre de broche
8
Dimensions
4.97 x 3.98 x 1.47mm
Longueur
4.97mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Largeur
3.98mm
Taille
1.47mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Nombre de bits par mot
8bit
Nombre de mots
32K
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2 V
Pays d'origine
United States
Détails du produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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€ 55,75
€ 5,575 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
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Paquet de production (Tube)
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 10 - 18 | € 5,575 | € 11,15 |
| 20 - 98 | € 5,429 | € 10,86 |
| 100 - 498 | € 5,289 | € 10,58 |
| 500+ | € 5,154 | € 10,31 |
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32K x 8 bits
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Largeur de bus de données
8bit
Temps d'accès aléatoire maximum
450ns
Type de montage
CMS
Type d'emballage
SOIC W
Nombre de broche
8
Dimensions
4.97 x 3.98 x 1.47mm
Longueur
4.97mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Largeur
3.98mm
Taille
1.47mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Nombre de bits par mot
8bit
Nombre de mots
32K
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2 V
Pays d'origine
United States
Détails du produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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