Mémoire FRAM, FM25V20A-DG, 2Mbit, 256K x 8 bits, SPI, DFN, 8 broches, 3,6 V
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonTaille mémoire
2Mbit
Configuration
256K x 8 bits
Type d'interface
SPI
Largeur de bus de données
8bit
Temps d'accès aléatoire maximum
16ns
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
DFN EP
Nombre de broche
8
Dimensions
5 x 6 x 0.7mm
Longueur
6mm
Largeur
5mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Taille
0.7mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Nombre de bits par mot
8bit
Nombre de mots
256K
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2 V
Détails du produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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€ 18,01
€ 18,01 Each (hors TVA)
Standard
1
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Standard
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 18,01 |
| 10 - 24 | € 14,88 |
| 25 - 99 | € 14,48 |
| 100 - 499 | € 14,11 |
| 500+ | € 13,77 |
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16ns
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CMS
Type de conditionnement
DFN EP
Nombre de broche
8
Dimensions
5 x 6 x 0.7mm
Longueur
6mm
Largeur
5mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Taille
0.7mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Nombre de bits par mot
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256K
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2 V
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FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
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