IGBT, IGW60T120FKSA1, , 100 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonCourant continu de Collecteur maximum
100 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
375 W
Type de conditionnement
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Vitesse de découpage
1MHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Capacité de grille
3700pF
Température d'utilisation maximum
150 °C
Indice énergétique
15.8mJ
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors IGBT TrenchStop d'Infineon, 1 100 à 1 600 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 1 100 à 1 600 V comportant la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 1 100 à 1 600 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 161,20
€ 5,373 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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N
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Single
Dimensions
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Température de fonctionnement minimum
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Capacité de grille
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China
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Transistors IGBT TrenchStop d'Infineon, 1 100 à 1 600 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 1 100 à 1 600 V comportant la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 1 100 à 1 600 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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