Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
20 V
Type de conditionnement
UPAK
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
20 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
125 MHz
Nombre de broche
4
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
1.6 x 4.6 x 2.6mm
Pays d'origine
Hong Kong
Détails du produit
Transistors NPN basse tension de saturation
Une gamme de transistors bipolaires à jonction NPN à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.
Bipolar Transistors, Nexperia
Prix sur demande
Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
4000
Prix sur demande
Each (On a Reel of 4000) (hors TVA)
4000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
20 V
Type de conditionnement
UPAK
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
20 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
125 MHz
Nombre de broche
4
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
1.6 x 4.6 x 2.6mm
Pays d'origine
Hong Kong
Détails du produit
Transistors NPN basse tension de saturation
Une gamme de transistors bipolaires à jonction NPN à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.