JFET, 2SK3557-6-TB-E, Canal-N, 15 V Simple CP, 3 broches Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
10 to 20mA
Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Drain Grille maximum
-15V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de montage
CMS
Type d'emballage
CP
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
10pF
Capacitance Source Grille ON
2.9pF
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.5mm
Longueur
2.9mm
Taille
1.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 30,66
€ 0,307 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 30,66
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Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 225 | € 0,307 | € 7,67 |
| 250 - 475 | € 0,265 | € 6,63 |
| 500 - 975 | € 0,233 | € 5,82 |
| 1000+ | € 0,213 | € 5,32 |
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N
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Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Drain Grille maximum
-15V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de montage
CMS
Type d'emballage
CP
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
10pF
Capacitance Source Grille ON
2.9pF
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.5mm
Longueur
2.9mm
Taille
1.1mm
Pays d'origine
China
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