Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
16 to 32mA
Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Drain Grille maximum
-15V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
CP
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
10pF
Capacitance Source Grille ON
2.9pF
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Taille
1.1mm
Largeur
1.5mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 7,20
€ 0,36 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
€ 7,20
€ 0,36 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
20 - 180 | € 0,36 | € 7,20 |
200 - 480 | € 0,31 | € 6,20 |
500 - 980 | € 0,27 | € 5,40 |
1000 - 1980 | € 0,237 | € 4,73 |
2000+ | € 0,215 | € 4,30 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
16 to 32mA
Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Drain Grille maximum
-15V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
CP
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
10pF
Capacitance Source Grille ON
2.9pF
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Taille
1.1mm
Largeur
1.5mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.