Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de montage
Through Hole
Type de boîtier
TO-247
Courant direct continu maximum
50A
Tension inverse de crête répétitive
1200V
Configuration de diode
Double cathode commune
Type de redressement
Diode Schottky
Type diode
SiC Schottky
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
SiC Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
1.19kA
Pays d'origine
China
€ 109,06
€ 10,91 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 109,06
€ 10,91 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Brand
onsemiType de montage
Through Hole
Type de boîtier
TO-247
Courant direct continu maximum
50A
Tension inverse de crête répétitive
1200V
Configuration de diode
Double cathode commune
Type de redressement
Diode Schottky
Type diode
SiC Schottky
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
SiC Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
1.19kA
Pays d'origine
China