Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de montage
Through Hole
Type de boîtier
A-220
Courant direct continu maximum
11A
Tension inverse de crête répétitive
650V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Diode Schottky
Type diode
SiC Schottky
Nombre de broche
2
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
SiC Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
650A
Pays d'origine
China
€ 41,55
€ 2,077 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
20
€ 41,55
€ 2,077 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
20
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de montage
Through Hole
Type de boîtier
A-220
Courant direct continu maximum
11A
Tension inverse de crête répétitive
650V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Diode Schottky
Type diode
SiC Schottky
Nombre de broche
2
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
SiC Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
650A
Pays d'origine
China