Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de pont
Single Phase
Courant direct moyen
800mA
Tension inverse de crête répétitive
1000V
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
SOIC W
Nombre de broche
4
Format
Single
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
35A
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de crête
1V
Courant inverse crête
500µA
Longueur
4.95mm
Dimensions
4.95 x 4.2 x 2.5mm
Largeur
4.2mm
Hauteur
2.5mm
Détails du produit
On Semiconductor MB1S-MB8S
Approvals
UL, E258596
€ 11,89
€ 0,475 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
25
€ 11,89
€ 0,475 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
25
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,475 | € 11,89 |
100 - 225 | € 0,41 | € 10,24 |
250+ | € 0,355 | € 8,89 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de pont
Single Phase
Courant direct moyen
800mA
Tension inverse de crête répétitive
1000V
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
SOIC W
Nombre de broche
4
Format
Single
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
35A
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de crête
1V
Courant inverse crête
500µA
Longueur
4.95mm
Dimensions
4.95 x 4.2 x 2.5mm
Largeur
4.2mm
Hauteur
2.5mm
Détails du produit
On Semiconductor MB1S-MB8S
Approvals
UL, E258596