Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
10 to 40mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Tension Grille Source maximum
-40 V
Tension Drain Grille maximum
40V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de montage
CMS
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Taille
1.04mm
Largeur
1.3mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 13,09
€ 0,262 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
€ 13,09
€ 0,262 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
50 - 450 | € 0,262 | € 13,09 |
500 - 950 | € 0,226 | € 11,28 |
1000+ | € 0,195 | € 9,76 |
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Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
10 to 40mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Tension Grille Source maximum
-40 V
Tension Drain Grille maximum
40V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de montage
CMS
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Taille
1.04mm
Largeur
1.3mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.