Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
min. 5mA
Tension Grille Source maximum
-35 V
Tension Drain Grille maximum
35V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Résistance Drain Source maximum
50 Ω
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
28pF
Capacitance Source Grille ON
28pF
Dimensions
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Largeur
1.3mm
Taille
0.93mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Longueur
2.92mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 5,88
€ 0,235 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
€ 5,88
€ 0,235 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,235 | € 5,88 |
100 - 225 | € 0,203 | € 5,08 |
250 - 475 | € 0,176 | € 4,40 |
500 - 975 | € 0,155 | € 3,86 |
1000+ | € 0,14 | € 3,51 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
min. 5mA
Tension Grille Source maximum
-35 V
Tension Drain Grille maximum
35V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Résistance Drain Source maximum
50 Ω
Type de montage
CMS
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
28pF
Capacitance Source Grille ON
28pF
Dimensions
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Largeur
1.3mm
Taille
0.93mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Longueur
2.92mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.