Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
24 to 60mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Tension Grille Source maximum
+25 V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Taille
0.94mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Largeur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 31,25
€ 0,22 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
125
€ 31,25
€ 0,22 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
125
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
500 - 995 | € 0,22 | € 1,10 |
1000+ | € 0,20 | € 1,00 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
24 to 60mA
Tension Drain Source maximum
25 V
Tension Grille Source maximum
+25 V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Taille
0.94mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Largeur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.