Transistor Darlington, NPN, 4 A, 80 V, SOT-32, Traversant, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Renesas ElectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
4 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Type de conditionnement
SOT-32
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Nombre d'éléments par circuit
1
Gain en courant DC minimum
750
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.5 V
Courant de coupure Collecteur maximum
0.2mA
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Taille
10.8mm
Dimensions
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
7.8mm
Largeur
2.7mm
Détails du produit
Transistors Darlington NPN, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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€ 0,50
€ 0,50 Each (hors TVA)
Standard
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 0,50 |
| 2 - 4 | € 0,48 |
| 5 - 9 | € 0,47 |
| 10 - 24 | € 0,45 |
| 25+ | € 0,43 |
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Type de conditionnement
SOT-32
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Through Hole
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Nombre d'éléments par circuit
1
Gain en courant DC minimum
750
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
2.5 V
Courant de coupure Collecteur maximum
0.2mA
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Taille
10.8mm
Dimensions
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
7.8mm
Largeur
2.7mm
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