Documents techniques
Spécifications
Brand
Semikron DanfossCourant continu de Collecteur maximum
232 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Type de conditionnement
SEMITRANS2
Format
Single
Type de fixation
Panel Mount
Type de canal
N
Nombre de broches
5
Configuration du transistor
Single
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Dimensions
94 x 34 x 30.1mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Largeur
34mm
Détails du produit
Modules IGBT simples
SEMIKRON propose des modules IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) dans des boîtiers SEMITRANS, SEMiX et SEMITOP en différentes topologies et valeurs nominales de courant et de tension.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
€ 106,37
€ 106,37 Each (hors TVA)
1
€ 106,37
€ 106,37 Each (hors TVA)
1
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Quantité | Prix unitaire |
---|---|
1 - 9 | € 106,37 |
10 - 19 | € 79,03 |
20+ | € 75,10 |
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Spécifications
Brand
Semikron DanfossCourant continu de Collecteur maximum
232 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Type de conditionnement
SEMITRANS2
Format
Single
Type de fixation
Panel Mount
Type de canal
N
Nombre de broches
5
Configuration du transistor
Single
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Dimensions
94 x 34 x 30.1mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Largeur
34mm
Détails du produit
Modules IGBT simples
SEMIKRON propose des modules IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) dans des boîtiers SEMITRANS, SEMiX et SEMITOP en différentes topologies et valeurs nominales de courant et de tension.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.